В днешно време са известни редица плазмон-активни материали, които имат приложение във видимата и инфрачервена области, като благородни метали (злато, сребро и др.), метални нитриди и карбиди, и полупроводникови сплави на основа на GaAs/InAl. За разлика от това голямо многообразие, наборът от материали подходящи за възбуждане на локализиран повърхностен плазмонен резонанс в ултравиолетовата спектрална област е твърде ограничен.
Затова, целта на настоящето проектно предложение е определяне на условия за получаване и изследване на зависимостта на оптичните свойства от състава на тънки слоеве от метали и биметални сплави на базата на сребро, злато и химични елементи от 5 период на Периодичната система (Cd, In, Sn и Sb) с оглед създаване на нови материали за приложение плазмониката. В биметалните сплави - комбинация на споменатите по-горе метали със сребро и злато, се очаква да се промени електронната структура, коeто ще се отрази на стойностите на реалната и имагинерната части на комплексната диелектрична функция.
В съответствие с тази цел, в работната програма на проекта са включени 4 взаимосвързани групи научни изследвания: 1) Отлагане на тънки слоеве с точно определен състав; 2) Характеризиране на състав, морфология и структура; 3) Оптично изследване на получените слоеве, като основен метод в тази група изследвания ще бъде спектралната елипсометрия, за прецизно определяне на диелектрична функция и 4) флуоресцентни измервания, за оценка на ефективността на новосъздадените материали за приложение в ултравиолетовата плазмоника.
Фундаменталните изследвания, включени в настоящето проектно предложение, ще допринесат за изясняване на влиянието на електронната обвивка на различните елементи и атомен радиус върху възможността и ефективността за генерация на повърхностен плазмонен резонанс. Очакваният резултат е намиране на нови тънкослойни покрития, които дават възможност за възбуждане на локализиран повърхностен плазмонен резонанс от ултравиолетовата до инфрачервената спектрална област и са подходящи като активен материал във високочувствителни сензори.